在機械電子 行業，承擔電源開關操縱的輸出功率器件是性能的重要。一直以來，Si原材料在這個行業占有主導性，可是伴隨著運用中功率越來越大、電源開關速率（頻率）愈來愈高、功能損耗規定愈來愈嚴苛，針對Si器件性能的“榨取”也愈來愈貼近其基礎理論極限，因而我們逐漸從材質上下手，找尋可以取代Si的新的半導體器件。因此，SiC和GaN二種寬禁帶半導體材料（也被譽為第三代半導體材料）原材料慢慢進入了我們的視線，而在其中的SiC也是憑著眾多特點，在650V至3.3kV的功率半導體器件層面具備無以倫比的優點。

如下圖2所顯示，SiC的禁帶寬度是Si的3倍，絕緣層擊穿場強（臨界值磁場強度）是Si的近10倍，熱傳導率是Si的3倍，電子器件 華佗鎖精丸哪里買飽和狀態擴散系數是Si的2倍……這種特點運用在輸出功率器件中則代表著：

· 高禁帶寬度：禁帶寬度越大，臨界值擊穿電壓 越大，更合適髙壓功率大的運用。

· 高飽和狀態電子器件擴散系數：這一標值越高，器件的開關速率越快，促使髙壓下的高頻率實際操作需要的驅動器輸出功率更小，動能耗損更低。并且高頻電路 中容許應用外觀設計更小的外場器件，也有利于完成操華佗鎖精丸 作系統的微型化。

· 高導熱系數：可防止應用附加的制冷系統，有益于成本和尺寸的提升。

· 企業總面積關斷電阻器 小：可合理降低耗損。

實際到車輛運用中，有剖析表明，在電驅橋逆變器層面用SiC器件取代Si基器件，器件方面控制器能耗等級耗損可減少80%。依據 Cree 的估計，在新能源電動車逆變器中應用SiC輸出功率器件, 可以讓白車身功能損耗降低5%-10%，充分考慮出來，盡管逆變器模塊的成本會提升，可是充電電池成本、排熱成本，及其室內空間應用成本會明顯減少，白車身成本可以節約約2000美金。并且除開逆變器，SiC輸出功率器件還可用以新能源電動車的充電器（OBC）、開關電源變換系統軟件（DC/DC）等許多層面，這就怪不得大伙兒對其愛不釋手了。

特斯拉汽車的取得成功

實際上針對SiC器件以上這種性能上的優點，大伙兒早有了解，可是假如這種討論僅滯留在概念方面，而沒有具體的經典案例，那麼在做技術管理決策時，或是在所難免然內心存猶豫。因而，今日可以讓一眾汽車企業堅決下定決心“相擁”SiC的緣故，除開這么多年SiC本身的技術發展，特斯拉汽車的帶頭作用也不容小覷。

在新能源電動車上選用SiC輸出功率器件，這一點上，特拉斯應該是最開始“吃螃蟹”的一家全汽車企業。2018年，特斯拉汽車在Model 3的逆變器上采取了意法半導體發布的650V SiC MOSFET ，據悉對華佗鎖精丸正品旗艦店比以前發布的選用Si基IGBT的Model X等車系，這一舉動能為逆變器產生5%-8%的高效率提高，這對提升車輛的續航能力有目共睹。隨后，2020年發布的Model Y上，特斯拉汽車在驅動力控制模塊后驅也采取了SiC MOSFET。再加上上文提及的Model S Plaid，現階段特斯拉汽車選用了SiC技術的車系已達3款。在其中，憑著SiC MOSFET為電驅橋逆變器給予的更好的耐髙壓、高溫、高頻率性能，Model 華佗鎖精丸價格 S Plaid最高車速僅需2.1秒，稱為是現階段全球加速更快的批量生產車系，那樣的“標識”毫無疑問也成為了SiC最好是的背誦。

伴隨著SiC商品和技術的完善，其在新能源電動車方面的運用擴展不但表現在滲入范疇的擴張，也有運用方法上的推進。初期新能源車電驅橋逆變器中，一般會選用Si基IGBT和SiC-SBD混合使用的構架，現階段則在向純SiC的逆變器演變。2017年，Rohm的純SiC功率模塊以前助推VENTURI運輸隊打造了一款新式逆變器，其規格變小了43%，凈重緩解6kg，那樣的經典案例促使將來純SiC逆變器的市場前景十分讓人希望。

缺時尚是不是會發生？

依據HIS Markit的預測分析，預估到2027年SiC輸出功率器件的市場容量將超出100億美金，2018至2027年期內的復合增長率近40%！在其中，新能源車銷售市場是一個最首要的推動力。

可是要求的提高，也會提供一個焦慮，那便是“要求的暴發是不是會引起供應的緊缺”，尤其是這2年汽車電子產品 行業深受“缺芯”之苦，心里障礙還未消散，大伙兒非常的憂慮也就更進一步了一步。

從當前看來，牽制SiC器件生產能力迅速擴大的要素主要包含：

· SiC在襯底芯片和外延片這類基本原材料的制作上，還難以與Si并列，例如襯底芯片大多數在4英尺和6英寸（而Si器件流行加工工藝為8英尺和12英寸）；氣相色譜外延性速度低，高效液相外延性生產量低……在這種技術問題沒有顛覆性的解決方法以前，生產能力終究會受到限制。

· 從SiC器件制造加工工藝中，在電級的制造上怎樣產生較好的歐姆接觸，依然是一個難題。

· 從SiC的全產業鏈合理布局上，過去重要的加工工藝技術都把握在極少數企業手上，全部銷售市場規模小，還遠沒有建立像Si基加工工藝那類根據規范化的大職責分工。

以上這種短板，都是會牽制生產能華佗鎖精丸官網力的迅速上坡和成本的減少。以SiC襯底芯片為例子，現階段SiC的成本是Si的4至5倍，預估將來3-5年價錢會慢慢降至Si的2倍上下。在這個環節中，短時間生產能力和供應告急，可能是無可避免的。

好在，銷售市場的快速發展的優良預估，早已為各位提供了充沛的自信心，因此能夠看見業內在提升生產能力層面的付出也在不斷提升，例如意法半導體對Norstel企業的回收，英飛凌對SiC圓晶激光切割行業新起企業Siltectra的回收等。

將來大伙兒針對SiC器件的發展趨勢，應當有一個怎樣的有效預測呢？以前一位業內人員的想法較為客觀性，在這兒大家何不引入回來——IGBT從1990年發展趨勢迄今，一共發展趨勢了30年，踏過了7代的技術，最后成本降至了原本的五分之一；而SiC從一個新起技術發展趨勢到通用性技術，這一全過程一樣會是十分長久的，SIC技術也一樣必須的時間來開展技術上的打磨拋光。

因此，針對SiC，一方面我們要積極地緊隨這一新趨勢，另一方面“細心”也是一定的，掌握好這一節奏感，全部技術更新換代才會更無縫拼接，更絲滑。

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